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关于硅电容式压力传感器的相关先容
编辑:www.csppm.com来源:澳门新葡萄京所有网站时间:2015/9/10 14:27:03

        近十余年来,随着微机械加工技术和集成电路技术的发展以及在传感器领域的应用,人们开展了微型硅电容式集成传感器的研究。实验结果表面,它同样具有优良的性能。硅电容式集成传感器现在已经成功地应用于压力、加速度等物理量的测试。

      硅电容式压力传感器是其具有代表性的一类传感器。它当前有两种个主要形式:扩散式压阻式和硅电容式。由于二者的传感机理不同,电容式的许多性能指标优于扩散压阻式,在膜片尺寸和测量范围类同条件下,计算和实验表明。电容式灵敏度高于压阻式10倍以上,而功耗却低两个数量级。因为应变敏感电阻的压阻系数随温度变化明显,而硅容式压力传感器的传感机理则避开了压阻温度效应,故电容传感器的输出比硅压阻传感器的输出温度随温度变化要小得多。基于此,硅电容传感器输出的重复性和长期稳定性也明显优于扩散硅压阻式的。但电容式的输出特性为线性,如今这不难用微处理器这个先进的工具,对传感器敏感元件的线性特性要求就不必要了;只要敏感元件特性好的重复性和稳定性就可把它用于传感器上。硅电容的过载能力也相当好。

      硅电容式压力传感器的核心部件是一个对压力敏感的电容器。电容器的大小由电容电极的面积和两个电极间的距离决定。当硅膜片受到压力作用变形时,电容器两电极间的距离便发生变化,导致电容的变化。电容的变化量与压力有关,因此可利用这样的电容器作为检测压力的元件。

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