压阻式压力传感器是由硅弹性膜片、引线、壳体等组成。传感器的核心是硅弹性膜片，在膜片上用半导体工艺扩散形成四个力敏电阻器。敏感硅膜片通常采用两钟头形式：一种是贴片式，即将扩散后的硅膜片用粘合剂贴在硅环上、形成硅杯；另一种是用研磨和腐蚀的办法在已具有力敏电阻器的硅片背面加工成硅杯。这种结构可使传感器蠕变和滞后减少。

     这类传感器目前在材料上和结构上有了很多改进，如已发展军用的硅-蓝宝石压力传感器、多晶硅压力传感器、金属薄膜型压力传感器等。使用温度可达200~450°C。采用双岛结构可使体积缩小、灵敏度提高。

    右图为压阻式压力传感器的典型工艺流程：